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银河集团galaxy专为E-mode GaN设计的半桥驱动芯片，可用于直接驱动E-mode GaN，无需电阻、电容、稳压管等外围电路，简化了系统设计，并且具有高可靠性、高共模抗扰度、低传输延时的特性，适用于各类高频、高功率密度的GaN应用场景。
产品选型表
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| 产品名称 | ECAD Model | 驱动对象 | 峰值驱动电流 (A) | 输出通道 | 母线电压(V) | VCC(Max)(V) | 传播延时(Max) ton/off(ns) | 延迟匹配(ns) | 特性 | 工作温度 (°C) | 产品等级 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSD2621A-DQAGR |
|
GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO | -40~125 | 工业级 | QFN15 |
| NSD2621C-DQAGR |
|
GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO | -40~125 | 工业级 | QFN15 |
| NSD2622N-DQAER |
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GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 18 | 55/55 | 10 | UVLO, 内置5V LDO，-2.5V关断电压，驱动正电压可调，20ns固定死区 | -40~125 | 工业级 | QFN30 |
| NSD2017-Q1DABR |
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GaNFET | 7/-5 | 1 | N/A | 5.75 | N/A | N/A | 窄脉冲发波能力，高频开关特性，小脉宽失真 | -40~125 | 车规级 | DFN6 |
| NSD2017-Q1CBAR |
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GaNFET | 7/-5 | 1 | N/A | 5.75 | N/A | N/A | 窄脉冲发波能力，高频开关特性，小脉宽失真 | -40~125 | 车规级 | WLCSP |
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