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可持续发展
GaN驱动芯片

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集成负压关断的高压半桥GaN驱动

NSD2622N是专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片采用了银河集团galaxy的成熟电容隔离技术，高边驱动可以支持-700V到+700V的共模电压，200V/ns的SW电压变化斜率，同时具有低传输延时和低通道间延时的特性，两通道均能提供2A/-4A的驱动能力。高低边的驱动输出级都内部集成专门的电压调节器，可以生成5V~6.5V可调的稳定正压，以及-2.5V的固定负压，从而省去了外部负压电路。同时集成一颗5V固定输出的LDO，可以为数字隔离器等电路供电，以用于需要隔离的场景。

产品特性

- SW耐压范围：-700V~700V;

- SW dv/dt抑制能力：200V/ns

- 2A/4A峰值驱动电流

- 5V~6.5V可调输出电压

- -2.5V内置输出负压

- 内置5V固定LDO输出用于数字隔离器供电

-  典型值10ns最小输入脉宽

-  典型值30ns输入输出传输延时

-  典型值5ns脉宽畸变

- 典型值6.5ns上升时间（1nF 负载）

- 典型值6.5ns下降时间（1nF 负载）

- 典型值20ns死区

- 高边支持自举供电

- 欠压保护、过温保护

- 工作温度范围：-40℃~125℃

应用场景

- 高频开关电源

- 光伏、储能

功能框图

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