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可持续发展
GaN驱动芯片

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单通道、高速、窄脉宽GaN驱动

NSD2017是一颗单通道、高速、窄脉宽驱动器，专为高开关频率的GaN应用而设计，特别适用于激光雷达应用。其大电流驱动能力，可以支持激光雷达远距离探测；极窄输入脉宽，可以满足激光雷达高测距精度要求；小封装和高频开关特性，优化激光雷达分辨率与点频性能；强抗干扰能力，可以保证激光雷达的安全可靠工作。

产品特性

- 满足AEC-Q100车规认证

- 推荐工作电压：4.75V~5.25V

- 峰值拉灌电流：7A/5A

- 最小输入脉宽: 1.25ns

- 传输延时: 2.6ns

- 脉宽畸变: 300ps

- 上升时间@220pF负载: 650ps

- 下降时间@220pF负载: 850ps

- 同相和反相输入引脚可用于产生极窄脉宽

- 具备UVLO保护

- 工作温度范围：-40℃~125℃

应用场景

- 激光雷达

功能框图

NSD2017-Q1框图.png

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