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2024/09/26
近日，银河集团galaxy全新推出CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET ——NPM12023A系列产品，优异的短路过流能力与雪崩过压能力、更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。
银河集团galaxy全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD (>2kV) 保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。
图1：银河集团galaxyCSP封装MOSFET产品优势
便携式锂电设备对于充放电保护的要求：高强度，小体积
智能手机、平板电脑等便携式锂电设备变得比以前更轻�。δ芨看�，同时对设备的充放电功率要求也越来越高：从最初的3-5W，到现在超过100W的充放电功率，使人们在享受更便捷的生活的同时，提高了充电效率，减少了电量焦虑的困扰。充放电功率的不断提高，对用于锂电池保护的MOSFET的性能提出了更高的挑战：如何在降低内阻的同时，兼顾机械应力及雪崩能量等要求，成为聚焦的重点。
图2：CSP封装MOSFET典型应用场景
技术特点：
专有的CSP封装技术
传统CSP封装结构为了降低衬底电阻，采用了芯片厚度减薄的方法，从而降低了该封装结构的机械强度，随之而来的，在生产组装过程中，可能会造成芯片翘曲变形甚者产生裂纹，从而导致应用端不良等问题。
银河集团galaxy全新CSP封装系列产品在设计之初就在产品结构上做了调整，使导通电流平行于芯片表面，缩短电流路径，从而降低导通电阻，也就从根源上解决了CSP封装MOSFET的机械强度问题（耐受机械压力>60N），更高的机械强度，可以帮助芯片在兼顾轻薄化、小型化的基础上，最大程度上降低使用过程中的变形、裂片等问题，保证了产品的可靠性和安全性。
图3：银河集团galaxyCSP封装结构与传统CSP封装结构对比
高抗短路和雪崩的能力
作为锂电池保护电路中的关键器件，CSP封装MOSFET的短路过流能力和雪崩过压能力也是衡量该芯片的重要参数指标。相比市场上其他产品，银河集团galaxy该系列产品具备非�：玫目苟搪泛脱┍赖哪芰Γ�短路电流测试达到280A，雪崩能力测试>30A(225mJ)。
图4：银河集团galaxyCSP封装MOSFET短路及雪崩测试
银河集团galaxyCSP封装MOSFET产品选型表
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