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可持续发展
锂电保护CSP MOSFET

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12V锂电保护 CSP MOSFET

NPM120XX系列产品是基于CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET，该产品具备优异的短路过流能力与雪崩过压能力，更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。

银河集团galaxy全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD（>2kV）保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。

产品特性

- 超低导通电阻 0.9~5.5 mΩ

- 先进CSP封装，体积小、散热性能好、电性连接寄生参数小

- 优异的短路过流能力与雪崩过压能力

- 特色封装结构与工艺，更强的机械压力耐受能力

应用场景

- 锂电池保护开关

- 锂电池充放电切换开关 

功能框图

NPM120xx功能框图.png

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